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上海华虹NEC电子有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN1630042A | 一种金属配线的多步干法刻蚀方法 | 2005.06.22 | 本发明一种微电子制造领域的金属配线的多步干法刻蚀方法。在微电子制造领域，金属配线上具有多层膜结构，为 |
| 2 | CN1787231A | 后备电源用隔离二极管 | 2006.06.14 | 本发明公开了一种后备电源用隔离二极管，利用Deep－Nwell构成NPN BJT的寄生结构，在该结构 |
| 3 | CN101459140A | 利用SAB增加侧墙宽度的嵌入式EEPROM工艺方法 | 2009.06.17 | 本发明公开了一种利用SAB增加侧墙宽度的嵌入式EEPROM工艺方法，包括如下步骤：(1)在多晶硅栅极 |
| 4 | CN101458294A | 测试仪对多个芯片测试时芯片内用户码下载方法 | 2009.06.17 | 本发明公开了一种测试仪对多个芯片测试时芯片内用户码下载方法，针对多芯片同时测定时要求每个芯片中写入的 |
| 5 | CN101458537A | 电压调整器电路及电阻偏差补偿方法 | 2009.06.17 | 本发明公开了一种电压调整器电路，包括一个运算放大器，所述运算放大器的正向输入端接收输入信号，所述运算 |
| 6 | CN100338780C | 嵌位二极管结构（四） | 2007.09.19 | 本发明公开了一种嵌位二极管结构，在N阱中做入两个反向连接的P-N-P二极管或在用N阱及掩埋型N阱隔离 |
| 7 | CN100501689C | 实现SOC芯片中多任务多FLASH同时测试的方法 | 2009.06.17 | 本发明公开了一种实现SOC芯片中多任务多FLASH同时测试的方法，可同时对多个FLASH的多项功能同 |
| 8 | CN100501935C | 双极CMOS器件多晶硅刻蚀方法 | 2009.06.17 | 本发明公开了一种双极CMOS器件多晶硅刻蚀方法，其步骤依次包括：有机防反射层刻蚀、氧化膜刻蚀、主刻蚀 |
| 9 | CN100500933C | 准常压薄膜的制备方法 | 2009.06.17 | 本发明公开了一种准常压薄膜的制备方法，包括以下步骤：第一步，将磷酸三乙酯、硼酸三乙酯和四乙氧基硅烷的 |
| 10 | CN100446273C | MOS场效应管的制作方法 | 2008.12.24 | 本发明公开了一种制作MOS场效应管的方法，在双栅氧刻蚀步骤中，只刻蚀掉低压MOS管硅区域中间部分的中 |
| 11 | CN1889239A | 一种钛硅化物的形成方法 | 2007.01.03 | 本发明公开一种钛硅化物的形成方法，包括以下步骤：首先，进行第一次Si注入；然后，通过HF刻蚀后进行金 |
| 12 | CN1905156A | 一种制造高压LCD驱动器件的前道工艺 | 2007.01.31 | 本发明公开了一种制造高压LCD驱动器件的前道工艺，包括：高压P阱注入、高压N阱注入、浅槽隔离结构的制 |
| 13 | CN101118866A | 改善STI－CMP终点检测的方法 | 2008.02.06 | 本发明公开了一种改善STI－CMP终点检测的方法，包括STI－CMP前后相关工艺步骤和终点检测步骤， |
| 14 | CN1787194A | 小线宽沟槽型结构大功率MOS管制造方法 | 2006.06.14 | 本发明公开了一种小线宽沟槽型结构大功率MOS管制造的方法，采用了钛合金工艺，降低接触孔注入对器件特性 |
| 15 | CN101144831A | 探针卡基板 | 2008.03.19 | 本发明公开了一种探针卡基板，在主板和辅板之间配置有多个连接器。本发明探针卡基板可以连出更多的接线，实 |
| 16 | CN101162733A | 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法 | 2008.04.16 | 本发明公开了一种用于解决高压工艺中隔离漏电的金属场效应晶体管结构及其制作方法，不增加特别的光刻板工序 |
| 17 | CN101459063A | 晶体管浅结的制作方法 | 2009.06.17 | 本发明公开了一种晶体管浅结的制作方法，通过进行两次离子注入，其中一次为N型离子注入，另一次为P型离子 |
| 18 | CN101459078A | 晶体管器件中浅结制作方法 | 2009.06.17 | 本发明公开了一种晶体管器件中浅结制作方法，通过在硅衬底上形成源漏区凹槽，然后在所述源漏区凹槽内形成位 |
| 19 | CN101459132A | 高压平面功率MOS器件的制造方法 | 2009.06.17 | 本发明公开了一种高压平面功率MOS器件的制造方法，在源区与沟道体的自对准离子注入过程用一块光刻板，并 |
| 20 | CN1889248A | 一种减小超大规模集成电路接触孔电阻的方法 | 2007.01.03 | 本发明公开了一种减小超大规模集成电路接触孔接触电阻的方法，采用难熔金属硅化物工艺，在接触孔底部生成难 |
| 21 | CN100500370C | 修正化学机械抛光作业工艺条件的方法 | 2009.06.17 | 本发明公开了一种修正化学机械抛光作业工艺条件的方法，它可以根据不同的研磨速率倾向参数选择不同的化学机 |
| 22 | CN100501934C | 用于场区隔离刻蚀的方法 | 2009.06.17 | 本发明公开一种用于场区隔离刻蚀的方法，由一氢氟酸刻蚀步骤与一干法多晶硅刻蚀步骤组成，其在氢氟酸刻蚀步 |
| 23 | CN1641870A | 具有铝配线的半导体器件 | 2005.07.20 | 本发明有关一种具有铝配线的半导体器件，其衬底上具有层间膜，层间膜具有若干接触孔，层间膜上形成铝配线， |
| 24 | CN101118867A | 防止高压器件电荷的方法及STI结构 | 2008.02.06 | 本发明公开了一种防止高压器件电荷的方法，在STI刻蚀之后，首先，生长一层厚度为100～180埃的热氧 |
| 25 | CN100501967C | 改善STI-CMP终点检测的方法 | 2009.06.17 | 本发明公开了一种改善STI-CMP终点检测的方法，包括STI-CMP相关工艺步骤和终点检测步骤，所述 |
| 26 | CN1787179A | 一种提高CMP设备使用效率的方法 | 2006.06.14 | 本发明有关一种提高CMP设备使用效率的方法，首先使用Pilot片测定原研磨速率；接着根据Pilot研 |
| 27 | CN101145500A | 形成硅外延测试片的方法 | 2008.03.19 | 本发明公开了一种形成硅外延测试片的方法，包括如下步骤：首先选择测试片，然后进行HF－LAST湿法处理 |
| 28 | CN100446239C | 集成电路中的静电保护电路 | 2008.12.24 | 本发明公开了一种集成电路中的静电保护电路。包括多指并联的GGNMOS电路，GGNMOS的漏极接内部电 |
| 29 | CN100446240C | 集成电路中的静电保护电路 | 2008.12.24 | 本发明公开了一种集成电路中的静电保护电路。本发明集成电路中的静电保护电路，包括多指并联的GGNMOS |
| 30 | CN101161414A | 采用终点检测系统对同一种膜质进行研磨的方法 | 2008.04.16 | 本发明公开了一种采用终点检测系统对同一种膜质进行研磨的方法，包括如下步骤：步骤1，产品到来之后，测量 |
| 31 | CN101162240A | 探针卡测试系统 | 2008.04.16 | 本发明公开了一种探针卡测试系统，实现不受测试通道资源限制的多个DUT并列配置，其中，M个DUT对应的 |
| 32 | CN101162477A | 验证DRC配置文件的方法 | 2008.04.16 | 本发明公开了一种验证DRC配置文件的方法，包括步骤：设计两组图形，一组为正确图形，另一组为错误图形； |
| 33 | CN1889238A | 结合高密度和低密度低介电常数材料与铜的后道集成工艺 | 2007.01.03 | 本发明公开了一种结合高密度和低密度低介电常数材料与铜的后道集成工艺，包括：步骤一，通过化学气相沉淀或 |
| 34 | CN1888926A | 一种N阱电阻类器件电压依存系数的提取方法 | 2007.01.03 | 本发明公开了一种半导体器件特性的评价方法，尤其是NWR器件(N阱电阻)的Bias系数(电压依存系数) |
| 35 | CN101118855A | 去除硅片背面氮化硅膜的方法 | 2008.02.06 | 本发明公开了一种去除硅片背面氮化硅膜的方法，包括以下步骤：第一步，将背面有氮化硅膜的硅片放置于背面旋 |
| 36 | CN101118836A | 钴淀积的假片作业方法 | 2008.02.06 | 本发明公开了一种钴淀积的假片作业方法，在硅基板上淀积钴膜后，再在假片上淀积一层钛膜，然后在假片上淀积 |
| 37 | CN101118386A | 光刻工艺中的光学临近效应补偿方法 | 2008.02.06 | 本发明公开了一种光刻工艺中的光学临近效应补偿方法，包括以下步骤：第一步，将透明度可编程薄滤光片固定在 |
| 38 | CN100500932C | 用于化学气相沉淀装置的真空波纹吸着管 | 2009.06.17 | 本发明公开了一种用于化学气相沉淀装置的真空波纹吸着管，包括以下五个部分：一弹簧波纹管，其弹簧波纹的牙 |
| 39 | CN101644898A | 不同倍率光刻机之间的套刻精度的测量方法 | 2010.02.10 | 本发明公开了一种不同倍率光刻机之间的套刻精度的测量方法，包括以下步骤：(1)在标准光刻掩模板上平行放 |
| 40 | CN100446186C | 用于分栅结构闪存的浮栅制作方法 | 2008.12.24 | 本发明公开了一种用于分栅结构闪存的浮栅制作方法，在分栅结构闪存中采用各向同性干法刻蚀加薄层氧化方法定 |
| 41 | CN100446249C | 一种电感版图结构 | 2008.12.24 | 本发明公开了一种电感版图结构，它采用常规的CMOS工艺，可以减少由于衬底感应电流给电感带来的磁通量损 |
| 42 | CN101459217A | 霍尔盘 | 2009.06.17 | 本发明公开了一种霍尔盘，所述霍尔盘为板状八边形，所述八边形的每个内角都是135°，所述八边形中不相邻 |
| 43 | CN101145543A | 提高高压栅氧化层均匀性的工艺方法 | 2008.03.19 | 本发明公开了一种提高高压栅氧化层均匀性的工艺方法，包括如下步骤：步骤1，高压阱注入；步骤2，生长栅氧 |
| 44 | CN101458539A | 电流源电路及电流源的实现方法 | 2009.06.17 | 本发明公开了一种电流源电路，包括输出与电源电压成负比例系数的输出电流I1的负比例电流源模块，输出与电 |
| 45 | CN101459135A | 沟槽型双层栅功率MOS器件结构实现方法 | 2009.06.17 | 本发明公开了一种沟槽型双层栅功率MOS器件结构实现方法，包括如下步骤：(1)沟槽的光刻和刻蚀；(2) |
| 46 | CN201413817Y | 掩膜版移载机 | 2010.02.24 | 本实用新型公开了一种掩膜版移载机，包括运输盒支架和氮气枪，还包括运输盒支架底座、导轨和离子发生器；所 |
| 47 | CN1641968A | 改善供电品质的供电系统 | 2005.07.20 | 本发明公开了一种改善供电品质的供电系统，旨在提供一种能够应对电网上的电压波动和停电，使得对于供电品质 |
| 48 | CN101162691A | 用于分栅结构闪存的浮栅制作方法 | 2008.04.16 | 本发明公开了一种用于分栅结构闪存的浮栅制作方法，在分栅结构闪存中采用各向同性干法刻蚀加薄层氧化方法定 |
| 49 | CN101118385A | 用图像同步采集光刻成像系统的像场弯曲测量方法 | 2008.02.06 | 本发明公开了一种用图像同步采集光刻成像系统的像场弯曲测量方法，首先使图像同步采集光刻成像系统进行步进 |
| 50 | CN1630044A | 一种在亚微米数字集成电路上的形成钛硅化合物方法 | 2005.06.22 | 本发明公开了一种在亚微米级集成电路中的硅片上形成钛硅化合物的方法，能够使用现有设备完成在亚微米级的集 |
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